第三代半导体里程碑，全球最大8英寸GaN工厂成功扩产！

2021年6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司举行量产暨研发楼奠基仪式。这标志着全球最大的氮化镓生产基地正式投产，同时也对中国乃至全球第三代半导体技术的发展具有重大历史意义。

上海市政府副秘书长、市发改委主任、长三角一体化示范区执委会主任华源，英诺赛科董事长骆薇薇，苏州市人大常委会副主任沈国芳，吴江区委书记李铭，国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武，长三角一体化示范区执委会副主任、江苏省发展改革委员会副主任唐晓东，苏州市工业和信息化局局长万利，英诺赛科总经理孙在亨，吴江区委常委、汾湖高新区党工委书记、管委会主任张炳高，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，吴江区委常委、副区长钱宇，韩国SK集团大中华区总裁吴作义，招银国际首席投资官王红波等领导和嘉宾莅临本次量产暨研发楼奠基仪式盛典，共同见证了这一历史性的时刻。

英诺赛科苏州氮化镓项目作为长三角一体化先行启动区的重点项目，自2018年6月奠基以来，一直在快马的加鞭推进当中；2019年8月完成主厂房封顶；2020年9月举行了设备搬入仪式；如今正式迎来量产，填补了我国高端半导体器件的产业空白，同时也意味着制约我国第三代半导体产业的技术瓶颈得到突破。

英诺赛科（苏州）半导体有限公司总经理孙在亨表示，基于氮化镓的应用将是半导体未来十年增长最快的领域，随着苏州工厂的成功量产，英诺赛科已经做好了全面准备去迎接氮化镓时代的到来。

国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武表示，英诺赛科苏州生产基地量产暨研发楼奠基，是中国在化合物半导体领域的重要里程碑，英诺赛科在氮化镓领域取得了不俗的成绩，公司今后应不断创新组织、全心部署将化合物半导体做得更好，不仅为当地经济发展做出贡献，也为国家氮化镓产业乃至化合物半导体产业发展做出新的更大的贡献。

吴江区委常委、副区长钱宇在仪式上致辞，对英诺赛科苏州氮化镓生产基地的通线量产表示祝贺。

招银国际首席投资官王红波表示，第三代半导体产业的发展才刚刚开始，需要所有产业所有的合作伙伴携手开拓生态。英诺赛科苏州氮化镓生产基地正式量产将是氮化镓产业发展史上的一个重要里程碑，同时也将引领全球第三代半导体的发展。

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲表示，英诺赛科8英寸硅基氮化镓产品已经走在了世界的前列，而十四五规划也明确提出了集成电路、碳化硅、氮化镓等重点发展领域，希望英诺赛科能够借助苏州生产基地的规模优势，在未来的氮化镓市场发挥龙头作用，带动产业发展。

英诺赛科成立于2015年12月，是一家硅基氮化镓芯片集成制造的企业，致力于用先进、高效、低成本的硅基氮化镓技术助力新时代高效能源系统的建设。2017年11月，英诺赛科率先在珠海建设完成全球首条8英寸硅基氮化镓量产线，后相继实现高低压产品出货。

作为领先的第三代半导体技术供应商，英诺赛科的IDM全产业链集成制造模式可以为客户带来更加高效、高可靠性的解决方案，其产品可以广泛应用于云计算（数据中心）、汽车、移动电子设备等领域。 

英诺赛科苏州第三代半导体基地位于江苏省苏州市吴江区汾湖高新区，总占地368亩，属于江苏省重点项目，一期投资总额预计80亿元人民币。建成后将成为全球最大的集研发、设计、外延生产、芯片制造、测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

据了解，英诺赛科苏州氮化镓生产基地6月5日投产后产能逐步爬坡，到2021年底产能可达6000片/月，2022年底项目全部达产后苏州工厂将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆，预计年产值150亿元，利税超15亿元。

自从2020年疫情爆发以来，芯片缺货迅速在全球范围内蔓延，并且愈演愈烈。作为我国高端半导体器件领域的典型代表，英诺赛科苏州氮化镓项目的通线投产，不仅可以为5G移动通信、数据中心、新能源汽车、无人驾驶、手机快充等战略新兴产业的自主创新发展提供核心电子元器件，而且在产能和成本方面也有着巨大的优势，可以为各领域产品的应用提供充足的货源保障。

英诺赛科氮化镓功率器件有一个响亮且好听的名字“InnoGaN”。而近年来随着消费类电源领域氮化镓快充市场的兴起，为InnoGaN提供了一个大显身手的舞台，同时InnoGaN也逐渐成为消费类电源工程师耳熟能详的产品。

在6月4日的举办的硅基氮化镓产业发展峰会上，英诺赛科英诺赛科市场与销售副总裁顾怡祥先生也介绍到，快充充电器市场中，InnoGaN已经助力了60多家厂商的快充产品量产，如努比亚、魅族、MOMAX、REMAX、ROCK等众多知名品牌的数十款电源产品均有应用，累计出货量达到千万级，产品性能获得市场一致认可。同时，InnoGaN在激光雷达、数据中心、手机等领域的应用也在有条不紊的推进中。

充电头网总结

目前英诺赛科量产的氮化镓功率器件覆盖了30V-900V的电压范围，已成为全球市场中为数不多的具备氮化镓高压、低压全品类产品线的IDM原厂。

凭借雄厚的科研实力及先进的技术水平，英诺赛科已被国家四部委列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，也是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目。同时，作为2021年度中国IC风云榜独角兽企业，英诺赛科承担了多个国家部委及省相关部门的重点研发项目。

从2018年奠基，到2019主体厂房封顶，再从2020年设备搬入，到如今正式量产。短短三年时间，我们共同见证了英诺赛科的飞速发展，英诺赛科也让世界看到了其打造高端半导体器件的决心。

相信未来，在国家政策的扶持以及自身的不懈努力下，英诺赛科将有望成为国产氮化镓市场的领头羊，为第中国三代半导体产业的发展持续输出动力。

峰会预告

7月30日，，届时将有多家氮化镓、碳化硅快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席，共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。

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